薄膜材料是现代科学新兴的特殊功能材料，同块体材料相比，薄膜材料具有许多特殊性能，如极薄的厚度产生尺寸效应，由于薄膜材料比表面积很大，会形成显著的表面效应，对表面能、表面态、表面散射和表面干涉均有影响，另外在薄膜材料中还包含有大量的表面晶粒间界和缺陷态，对电子输运性能也影响较大。在基片和薄膜之间还存在有一定的相互作用，因而就会出现薄膜与基片之间的粘附性和附着力问题，以及内应力的问题。这些性能赋予薄膜材料在光、热、电、机械等方面丰富的功能性，薄膜材料现已经广泛应用与信息、微电子、航空技术等高科技领域。
功能薄膜材料
氮化铝（AlN）作为III-V族宽禁带半导体材料，有着许多潜在的优良性能，其制备的氮化铝薄膜材料也具有很多优异的物理化学性质，如高的击穿场强、高热导率、高电阻率、高化学和热稳定性以及良好的光学及力学性能。
高质量的氮化铝薄膜还具有极高的超声传输速度、较小的声波损耗、相当大的压电耦合常数，与Si、GaAs相近的热膨胀系数等特点。AlN独特的性质使它在机械、微电子、光学以及电子元器件、声表面波器件(SAW)制造和高频宽带通信等领域有着广阔的应用前景。
氮化铝薄膜的主要物理性质
氮化铝薄膜的应用领域
目前，氮化铝薄膜的主要应用方向为电子封装领域、LED蓝紫外发光材料、半导体材料生长过渡层、压电薄膜等领域。
01作为压电薄膜材料
声表面波器件是利用材料的压电特性而制作的一类器件，包括滤波器和延迟线等，广泛用于通讯、广播、遥控和遥测等技术。其中心频率取决于声表面波在压电薄膜上的传播速度和叉指电极宽度。
目前，声表面波器件常用压电材料是ZnO、LiTaO3和LiNbO3，与它们相比，AlN沿c轴声表面波传播速度高达6-6.2km/s，这是压电材料中较高的，几乎是LiTaO3和LiNbO3的两倍。这样，采用AlN薄膜在不减小叉指电极宽度情况下，就可将中心频率提高一倍，达到当前通讯业发展所需要的GHz级。
氮化铝薄膜作为声表面波器件的晶体基片压电薄膜
02用于电子元器件领域
当今微电子技术领域，在硅晶体管之间加入绝缘物质，也即在顶层硅和背衬底之间引入一层埋氧化层，这种作为绝缘埋层的SOI材料实现了器件制作层(顶层Si)与衬底的电学隔离，大大降低了传统体硅器件中影响器件速度性能的各种寄生效应，因而被广泛应用于高速、低耗、高密集成电路。
然而，传统SOI材料通常采用SiO2作为绝缘埋层，而SiO2的热导率较低，导致了严重的自加热效应，阻碍了传统SOI材料在高密高功率集成电路中的应用。而AIN的热导率约是SiO2的倍，且具有良好的绝缘性，与Si的热膨胀系数相匹配，AIN薄膜有极好的绝缘特性和优于SiO2的热导率，很适合用作SOI结构的绝缘埋层。
氮化铝薄膜作为SOI绝缘埋层（BuriedOxide）
03用于GaN、InN等材料外延缓冲层
作为第三代半导体材料体系，ⅢA族氮化物禁带宽度相应于覆盖光谱中整个红外到可见光及紫外光的范围。如此宽的连续可调的直接带隙是其它材料体系所不能比拟的，加之发光效率高、电子漂移饱和速率高等特点，使其在短波长发光二极管(LED)，激光二极管(LD)和紫外探测器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力。
目前GaN和InN都是目前国际上研究的热点，由于与蓝宝石、硅晶格失配过大，直接在这两种衬底上生长的GaN和InN薄膜质量较差，光电学性能也不好，很难达到器件工艺要求。用AIN薄膜作为缓冲层能显著提高GaN外延薄膜的质量，明显改善电学和光学性能。
氮化铝薄膜作为蓝宝石衬底上的缓冲层
04作为发光层材料
薄膜电致发光(TFEL)显示是薄膜在光电领域一个特别有潜力的发展方向，这种技术决定发光性质的是发光层，发光材料的一个关键要求就是该材料的禁带宽度必须大于发光中心产生光子的能量，这样才不致于产生可见光吸收现象。另外还必须有高介电强度，在1MeV·cm-1的电场作用下不发生介电击穿并且在阀值电压下保持其绝缘特性。
传统的硫基发光材料由于存在化学不稳定以及对潮湿敏感等内在的缺点给器件制作带来了很大的困难，并且硫基TFEL器件在大气中工作时会出现在很短时间内性能下降的情况。AIN具有足够宽的禁带宽度，具有比硫基发光体更高的化学和热稳定性，如今也成为备受
